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硅基氮化鎵功率放大器芯片首次實現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用
來源：新聞中心
發(fā)布時間：2025年11月14日 編輯：新聞中心
近日，中國電科國基南方所屬南京國博電子股份有限公司（以下簡稱國博公司）研發(fā)的硅基氮化鎵功率放大器芯片，首次在終端射頻領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用。
針對智能移動終端對射頻功率放大器性價比、可靠性、尺寸的極致要求，國博公司與國內(nèi)頭部智能移動終端廠商、相關(guān)研發(fā)部門組成聯(lián)合攻關(guān)團隊，協(xié)同攻克了硅基氮化鎵外延的晶格缺陷比例高的材料難題，充分發(fā)揮新型三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)優(yōu)勢，在兼顧功率、效率、寬帶等指標(biāo)的前提下，實現(xiàn)了對傳統(tǒng)砷化鎵功放的性能提升，并突破硅基氮化鎵功放芯片的量產(chǎn)技術(shù)。該產(chǎn)品具備高功率、高效率、高寬帶特性，可為客戶降低系統(tǒng)鏈路設(shè)計的復(fù)雜度，進一步提升手機等終端的數(shù)據(jù)傳輸速度，降低工作能耗。
下一步，國博公司將持續(xù)優(yōu)化開發(fā)新產(chǎn)品，適配多頻段、高效率終端應(yīng)用場景。同時，持續(xù)投入硅基氮化鎵功放芯片產(chǎn)業(yè)鏈，推動新型三代半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
